物理氣相沉積是指用于各種材料的表面工程的多種真空薄膜涂層方法,。PVD涂層方法采用多種方法之一，將目標(biāo)材料生成并沉積到基板表面,，包括濺射沉積,，PVD涂層方法通常用于光電子器件的制造,、汽車和航空航天的精*部件等,。今天我們來(lái)了解一下氮化硼陶瓷的相關(guān)知識(shí)。
　　濺射是一個(gè)獨(dú)特的過(guò)程,，通過(guò)持續(xù)的等離子轟擊,，粒子被強(qiáng)行從目標(biāo)材料中噴出。氮化硼陶瓷廣泛用于將濺射室中的等離子弧約束到目標(biāo)材料上,，并防止工藝室中整體部件的侵蝕,。
　　圣戈班氮化硼提供幾個(gè)Combat?可加工陶瓷的型號(hào)可用于PVD組件。AX05,、HP 和 ZSBN 級(jí)通常用于制造用于 PVD 等離子室的電弧護(hù)罩和導(dǎo)軌,、目標(biāo)框架、屏蔽和襯墊,。
　　氮化硼陶瓷用于霍爾推進(jìn)器
　　霍爾效應(yīng)推進(jìn)器使用等離子體作為軌道衛(wèi)星和深空探測(cè)器的推進(jìn)方法,。這種等離子體是由推進(jìn)劑氣體的電離產(chǎn)生的，推進(jìn)劑氣體通過(guò)高性能陶瓷通道內(nèi)的強(qiáng)烈徑向磁場(chǎng),。應(yīng)用的電場(chǎng)軸向加速等離子體并通過(guò)放電通道,，達(dá)到每小時(shí)數(shù)萬(wàn)英里的潛在出口速度。這種先進(jìn)技術(shù)的挑戰(zhàn)是陶瓷放電通道屈服于過(guò)早的等離子體侵蝕,。
　　氮化硼陶瓷已成功用于延長(zhǎng)霍爾效應(yīng)等離子推進(jìn)器的使用壽命,，同時(shí)不限制其電離效率，也不限制其推進(jìn)能力,。